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Transistoren-bipolare (BJT)-Arrays

L603C

L603C

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STMicroelectronics

Spezifikationen von L603C

STMicroelectronics

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Artikelnummer	L603C	Hersteller	STMicroelectronics
Beschreibung	TRANS 8NPN DARL 90V 0.4A 18DIP	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	82459 pcs stock	Datenblatt	L603C.pdf
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)	90V	VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic	2V @ 500µA, 300mA
Transistor-Typ	8 NPN Darlington	Supplier Device-Gehäuse	18-DIP
Serie	-	Leistung - max	1.8W
Verpackung	Tube	Verpackung / Gehäuse	-
Andere Namen	497-3639	Betriebstemperatur	-25°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant	Frequenz - Übergang	-
detaillierte Beschreibung	Bipolar (BJT) Transistor Array 8 NPN Darlington 90V 400mA 1.8W Through Hole 18-DIP	DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE	-
Strom - Collector Cutoff (Max)	-	Strom - Kollektor (Ic) (max)	400mA

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