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Transistoren-Bipolar (BJT)-Einzel

2SA1428-O,T2CLAF(M

2SA1428-O,T2CLAF(M

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Toshiba Semiconductor and Storage

Spezifikationen von 2SA1428-O,T2CLAF(M

Toshiba Semiconductor and Storage

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Artikelnummer	2SA1428-O,T2CLAF(M	Hersteller	Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung	TRANS PNP 2A 50V SC71	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	4010 pcs stock	Datenblatt	2SA1428-O,T2CLAF(M.pdf
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)	50V	VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic	500mV @ 50mA, 1A
Transistor-Typ	PNP	Supplier Device-Gehäuse	MSTM
Serie	-	Leistung - max	900mW
Verpackung	Bulk	Verpackung / Gehäuse	SC-71
Andere Namen	2SA1428-OT2CLAF(M 2SA1428OT2CLAFM	Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant	Frequenz - Übergang	100MHz
detaillierte Beschreibung	Bipolar (BJT) Transistor PNP 50V 2A 100MHz 900mW Through Hole MSTM	DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE	70 @ 500mA, 2V
Strom - Collector Cutoff (Max)	1µA (ICBO)	Strom - Kollektor (Ic) (max)	2A

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