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Transistoren-Bipolar (BJT)-Einzel

2SA1837,HFEYHF(M

2SA1837,HFEYHF(M

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Toshiba Semiconductor and Storage

Spezifikationen von 2SA1837,HFEYHF(M

Toshiba Semiconductor and Storage

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Artikelnummer	2SA1837,HFEYHF(M	Hersteller	Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung	TRANS PNP 1A 230V TO220-3	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	4861 pcs stock	Datenblatt	2SA1837,HFEYHF(M.pdf
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)	230V	VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic	1.5V @ 50mA, 500mA
Transistor-Typ	PNP	Supplier Device-Gehäuse	TO-220NIS
Serie	-	Leistung - max	2W
Verpackung	Bulk	Verpackung / Gehäuse	TO-220-3 Full Pack
Andere Namen	2SA1837HFEYHF(M 2SA1837HFEYHFM	Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant	Frequenz - Übergang	70MHz
detaillierte Beschreibung	Bipolar (BJT) Transistor PNP 230V 1A 70MHz 2W Through Hole TO-220NIS	DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE	100 @ 100mA, 5V
Strom - Collector Cutoff (Max)	1µA (ICBO)	Strom - Kollektor (Ic) (max)	1A

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