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Transistoren-Bipolar (BJT)-Einzel

2SC5201,F(J

2SC5201,F(J

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Toshiba Semiconductor and Storage

Spezifikationen von 2SC5201,F(J

Toshiba Semiconductor and Storage

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Artikelnummer	2SC5201,F(J	Hersteller	Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung	TRANS NPN 50MA 600V TO226-3	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	4407 pcs stock	Datenblatt	2SC5201,F(J.pdf
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)	600V	VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic	1V @ 500mA, 20mA
Transistor-Typ	NPN	Supplier Device-Gehäuse	TO-92MOD
Serie	-	Leistung - max	900mW
Verpackung	Bulk	Verpackung / Gehäuse	TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Andere Namen	2SC5201F(J 2SC5201FJ	Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant	Frequenz - Übergang	-
detaillierte Beschreibung	Bipolar (BJT) Transistor NPN 600V 50mA 900mW Through Hole TO-92MOD	DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE	100 @ 20mA, 5V
Strom - Collector Cutoff (Max)	1µA (ICBO)	Strom - Kollektor (Ic) (max)	50mA

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