Artikelnummer | 2SC5201,F(J | Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
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Beschreibung | TRANS NPN 50MA 600V TO226-3 | Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
Verfügbare Menge | 4407 pcs stock | Datenblatt | 2SC5201,F(J.pdf |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 600V | VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 1V @ 500mA, 20mA |
Transistor-Typ | NPN | Supplier Device-Gehäuse | TO-92MOD |
Serie | - | Leistung - max | 900mW |
Verpackung | Bulk | Verpackung / Gehäuse | TO-226-3, TO-92-3 Long Body |
Andere Namen | 2SC5201F(J 2SC5201FJ |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole | Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant | Frequenz - Übergang | - |
detaillierte Beschreibung | Bipolar (BJT) Transistor NPN 600V 50mA 900mW Through Hole TO-92MOD | DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE | 100 @ 20mA, 5V |
Strom - Collector Cutoff (Max) | 1µA (ICBO) | Strom - Kollektor (Ic) (max) | 50mA |
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