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HN1D02FU,LF

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Toshiba Semiconductor and Storage

Spezifikationen von HN1D02FU,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

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Artikelnummer	HN1D02FU,LF	Hersteller	Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung	DIODE ARRAY GP 80V 100MA US6	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	1192119 pcs stock	Datenblatt	HN1D02FU,LF.pdf
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If	1.2V @ 100mA	Spannung - Sperr (Vr) (max)	80V
Supplier Device-Gehäuse	US6	Geschwindigkeit	Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Serie	-	Rückwärts-Erholzeit (Trr)	4ns
Verpackung	Tape & Reel (TR)	Verpackung / Gehäuse	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Andere Namen	HN1D02FU,LF(B HN1D02FU,LF(T HN1D02FULFTR	Betriebstemperatur - Anschluss	125°C (Max)
Befestigungsart	Surface Mount	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit	12 Weeks	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Diodentyp	Standard	Diodenkonfiguration	2 Pair Common Cathode
detaillierte Beschreibung	Diode Array 2 Pair Common Cathode Standard 80V 100mA Surface Mount 6-TSSOP, SC-88, SOT-363	Strom - Sperrleckstrom @ Vr	500nA @ 80V
Strom - Richt (Io) (pro Diode)	100mA	Basisteilenummer	HN1D02

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