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Transistoren-Bipolar (BJT)-einzeln, Pre-biased
RN2301,LF

RN2301,LF

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Produktdetails siehe Spezifikationen.
Toshiba Semiconductor and StorageToshiba Semiconductor and Storage
Artikelnummer:
RN2301,LF
Hersteller / Marke:
Toshiba Semiconductor and Storage
Produktbeschreibung:
TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM
Datenblätte:
RN2301,LF.pdf
RoHS Status:
Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers:
3762250 pcs stock
Liefern von:
Hong Kong
Versandweg:
DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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Spezifikationen von RN2301,LF

Toshiba Semiconductor and StorageToshiba Semiconductor and Storage
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Artikelnummer RN2301,LF Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge 3762250 pcs stock Datenblatt RN2301,LF.pdf
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50V VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor-Typ PNP - Pre-Biased Supplier Device-Gehäuse USM
Serie - Widerstand - Emitterbasis (R2) 4.7 kOhms
Widerstand - Basis (R1) 4.7 kOhms Leistung - max 100mW
Verpackung Tape & Reel (TR) Verpackung / Gehäuse SC-70, SOT-323
Andere Namen RN2301(TE85L,F)
RN2301(TE85LF)
RN2301(TE85LF)-ND
RN2301(TE85LF)TR
RN2301(TE85LF)TR-ND
RN2301,LF(B
RN2301,LF(T
RN2301LFTR
RN2301TE85LF
Befestigungsart Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited) Hersteller Standard Vorlaufzeit 16 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant Frequenz - Übergang 200MHz
detaillierte Beschreibung Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount USM DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 30 @ 10mA, 5V
Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA Strom - Kollektor (Ic) (max) 100mA
Basisteilenummer RN230*  
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