Artikelnummer | RN2301,LF | Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
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Beschreibung | TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM | Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
Verfügbare Menge | 3762250 pcs stock | Datenblatt | RN2301,LF.pdf |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 50V | VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
Transistor-Typ | PNP - Pre-Biased | Supplier Device-Gehäuse | USM |
Serie | - | Widerstand - Emitterbasis (R2) | 4.7 kOhms |
Widerstand - Basis (R1) | 4.7 kOhms | Leistung - max | 100mW |
Verpackung | Tape & Reel (TR) | Verpackung / Gehäuse | SC-70, SOT-323 |
Andere Namen | RN2301(TE85L,F) RN2301(TE85LF) RN2301(TE85LF)-ND RN2301(TE85LF)TR RN2301(TE85LF)TR-ND RN2301,LF(B RN2301,LF(T RN2301LFTR RN2301TE85LF |
Befestigungsart | Surface Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) | Hersteller Standard Vorlaufzeit | 16 Weeks |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant | Frequenz - Übergang | 200MHz |
detaillierte Beschreibung | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount USM | DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE | 30 @ 10mA, 5V |
Strom - Collector Cutoff (Max) | 500nA | Strom - Kollektor (Ic) (max) | 100mA |
Basisteilenummer | RN230* |
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