Artikelnummer | RN2402S,LF | Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
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Beschreibung | TRANS PREBIAS PNP 0.2W S-MINI | Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
Verfügbare Menge | 4144 pcs stock | Datenblatt | RN2402S,LF.pdf |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 50V | VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
Transistor-Typ | PNP - Pre-Biased | Supplier Device-Gehäuse | S-Mini |
Serie | - | Widerstand - Emitterbasis (R2) | 10 kOhms |
Widerstand - Basis (R1) | 10 kOhms | Leistung - max | 200mW |
Verpackung | Cut Tape (CT) | Verpackung / Gehäuse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Andere Namen | RN2402SLFCT | Befestigungsart | Surface Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) | Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
Frequenz - Übergang | 200MHz | detaillierte Beschreibung | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount S-Mini |
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE | 50 @ 10mA, 5V | Strom - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
Strom - Kollektor (Ic) (max) | 100mA | Basisteilenummer | RN240* |
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