Toshiba Semiconductor and Storage
Toshiba Semiconductor and Storage| Artikelnummer | TK34E10N1,S1X | Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|---|---|
| Beschreibung | MOSFET N-CH 100V 75A TO-220 | Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
| Verfügbare Menge | 86963 pcs stock | Datenblatt | TK34E10N1,S1X.pdf |
| VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 500µA | Vgs (Max) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | Supplier Device-Gehäuse | TO-220 |
| Serie | U-MOSVIII-H | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.5 mOhm @ 17A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 103W (Tc) | Verpackung | Tube |
| Verpackung / Gehäuse | TO-220-3 | Andere Namen | TK34E10N1,S1X(S TK34E10N1S1X |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) | Befestigungsart | Through Hole |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) | Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2600pF @ 50V | Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 38nC @ 10V |
| Typ FET | N-Channel | FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100V |
| detaillierte Beschreibung | N-Channel 100V 75A (Tc) 103W (Tc) Through Hole TO-220 | Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 75A (Tc) |
| FEDEX | www.FedEx.com | Ab 35,00 USD hängt die Grundversandgebühr von Zone und Land ab. |
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