Artikelnummer | TK72E12N1,S1X | Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
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Beschreibung | MOSFET N CH 120V 72A TO-220 | Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
Verfügbare Menge | 38243 pcs stock | Datenblatt | TK72E12N1,S1X.pdf |
VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA | Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | Supplier Device-Gehäuse | TO-220-3 |
Serie | U-MOSVIII-H | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.4 mOhm @ 36A, 10V |
Verlustleistung (max) | 255W (Tc) | Verpackung | Tube |
Verpackung / Gehäuse | TO-220-3 | Andere Namen | TK72E12N1,S1X(S TK72E12N1S1X |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) | Befestigungsart | Through Hole |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) | Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 8100pF @ 60V | Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 130nC @ 10V |
Typ FET | N-Channel | FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | Drain-Source-Spannung (Vdss) | 120V |
detaillierte Beschreibung | N-Channel 120V 72A (Ta) 255W (Tc) Through Hole TO-220-3 | Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 72A (Ta) |
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