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TPC8A02-H(TE12L,Q)

TPC8A02-H(TE12L,Q)

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Toshiba Semiconductor and Storage

Spezifikationen von TPC8A02-H(TE12L,Q)

Toshiba Semiconductor and Storage

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Artikelnummer	TPC8A02-H(TE12L,Q)	Hersteller	Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung	MOSFET N-CH 30V 16A SOP8 2-6J1B	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	5932 pcs stock	Datenblatt	1.TPC8A02-H(TE12L,Q).pdf2.TPC8A02-H(TE12L,Q).pdf
VGS (th) (Max) @ Id	2.3V @ 1mA	Vgs (Max)	±20V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	8-SOP (5.5x6.0)
Serie	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	5.6 mOhm @ 8A, 10V
Verlustleistung (max)	1W (Ta)	Verpackung	Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse	8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)	Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant	Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1970pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	34nC @ 10V	Typ FET	N-Channel
FET-Merkmal	-	Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	30V	detaillierte Beschreibung	N-Channel 30V 16A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount 8-SOP (5.5x6.0)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	16A (Ta)

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