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2SK3564(STA4,Q,M)

2SK3564(STA4,Q,M)

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Toshiba Semiconductor and Storage

Spezifikationen von 2SK3564(STA4,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

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Artikelnummer	2SK3564(STA4,Q,M)	Hersteller	Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung	MOSFET N-CH 900V 3A TO-220SIS	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	77011 pcs stock	Datenblatt	1.2SK3564(STA4,Q,M).pdf2.2SK3564(STA4,Q,M).pdf
Spannung - Prüfung	700pF @ 25V	Spannung - Durchschlag	TO-220SIS
VGS (th) (Max) @ Id	4.3 Ohm @ 1.5A, 10V	Vgs (Max)	10V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Serie	π-MOSIV
RoHS Status	Tube	Rds On (Max) @ Id, Vgs	3A (Ta)
Polarisation	TO-220-3 Full Pack	Andere Namen	2SK3564(Q) 2SK3564(STA4,Q) 2SK3564(STA4Q) 2SK3564(STA4Q)-ND 2SK3564(STA4QM) 2SK3564Q 2SK3564Q-ND 2SK3564STA4QM
Betriebstemperatur	150°C (TJ)	Befestigungsart	Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)	1 (Unlimited)	Hersteller-Teilenummer	2SK3564(STA4,Q,M)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	17nC @ 10V	IGBT-Typ	±30V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	4V @ 1mA	FET-Merkmal	N-Channel
Expanded Beschreibung	N-Channel 900V 3A (Ta) 40W (Tc) Through Hole TO-220SIS	Drain-Source-Spannung (Vdss)	-
Beschreibung	MOSFET N-CH 900V 3A TO-220SIS	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	900V
Kapazitätsverhältnis	40W (Tc)

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