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Transistoren-bipolare (BJT)-Arrays, Pre-biased

RN4981,LF(CT

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Toshiba Semiconductor and Storage

Spezifikationen von RN4981,LF(CT

Toshiba Semiconductor and Storage

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Artikelnummer	RN4981,LF(CT	Hersteller	Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung	TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	697423 pcs stock	Datenblatt	RN4981,LF(CT.pdf
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)	50V	VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic	300mV @ 250µA, 5mA
Transistor-Typ	1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)	Supplier Device-Gehäuse	US6
Serie	-	Widerstand - Emitterbasis (R2)	4.7 kOhms
Widerstand - Basis (R1)	4.7 kOhms	Leistung - max	200mW
Verpackung	Cut Tape (CT)	Verpackung / Gehäuse	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Andere Namen	RN4981(T5LFT)CT RN4981(T5LFT)CT-ND RN4981LF(CTCT	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Frequenz - Übergang	250MHz, 200MHz	detaillierte Beschreibung	Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz, 200MHz 200mW Surface Mount US6
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE	30 @ 10mA, 5V	Strom - Collector Cutoff (Max)	100µA (ICBO)
Strom - Kollektor (Ic) (max)	100mA

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