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BYR29-800,127

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WeEn Semiconductors Co., Ltd

Spezifikationen von BYR29-800,127

WeEn Semiconductors Co., Ltd

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Artikelnummer	BYR29-800,127	Hersteller	WeEn Semiconductors Co., Ltd
Beschreibung	DIODE GEN PURP 800V 8A TO220AC	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	149742 pcs stock	Datenblatt	BYR29-800,127.pdf
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If	1.5V @ 8A	Spannung - Sperr (Vr) (max)	800V
Supplier Device-Gehäuse	TO-220AC	Geschwindigkeit	Fast Recovery = 200mA (Io)
Serie	-	Rückwärts-Erholzeit (Trr)	75ns
Verpackung	Tube	Verpackung / Gehäuse	TO-220-2
Andere Namen	933722330127 BYR29-800 BYR29-800-ND	Betriebstemperatur - Anschluss	150°C (Max)
Befestigungsart	Through Hole	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant	Diodentyp	Standard
detaillierte Beschreibung	Diode Standard 800V 8A Through Hole TO-220AC	Strom - Sperrleckstrom @ Vr	10µA @ 800V
Strom - Richt (Io)	8A	Kapazität @ Vr, F	-
Basisteilenummer	BYR29-800

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