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TPCC8002-H(TE12L,Q

TPCC8002-H(TE12L,Q

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Toshiba Semiconductor and Storage

Spezifikationen von TPCC8002-H(TE12L,Q

Toshiba Semiconductor and Storage

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Artikelnummer	TPCC8002-H(TE12L,Q	Hersteller	Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung	MOSFET N-CH 30V 22A 8TSON	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	741306 pcs stock	Datenblatt	1.TPCC8002-H(TE12L,Q.pdf2.TPCC8002-H(TE12L,Q.pdf
Spannung - Prüfung	2500pF @ 10V	Spannung - Durchschlag	8-TSON
VGS (th) (Max) @ Id	8.3 mOhm @ 11A, 10V	Vgs (Max)	4.5V, 10V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Serie	U-MOSV-H
RoHS Status	Tape & Reel (TR)	Rds On (Max) @ Id, Vgs	22A (Ta)
Polarisation	8-VDFN Exposed Pad	Andere Namen	TPCC8002HTE12LQ
Betriebstemperatur	150°C (TJ)	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)	1 (Unlimited)	Hersteller-Teilenummer	TPCC8002-H(TE12L,Q
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	27nC @ 10V	IGBT-Typ	±20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	2.5V @ 1mA	FET-Merkmal	N-Channel
Expanded Beschreibung	N-Channel 30V 22A (Ta) 700mW (Ta), 30W (Tc) Surface Mount 8-TSON	Drain-Source-Spannung (Vdss)	-
Beschreibung	MOSFET N-CH 30V 22A 8TSON	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	30V
Kapazitätsverhältnis	700mW (Ta), 30W (Tc)

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