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Transistoren-Bipolar (BJT)-Einzel
2N5190G

2N5190G

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Produktdetails siehe Spezifikationen.
AMI Semiconductor / ON SemiconductorAMI Semiconductor / ON Semiconductor
Artikelnummer:
2N5190G
Hersteller / Marke:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Produktbeschreibung:
TRANS NPN 40V 4A TO-225AA
Datenblätte:
2N5190G.pdf
RoHS Status:
Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers:
172069 pcs stock
Liefern von:
Hong Kong
Versandweg:
DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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Spezifikationen von 2N5190G

AMI Semiconductor / ON SemiconductorAMI Semiconductor / ON Semiconductor
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Artikelnummer 2N5190G Hersteller AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung TRANS NPN 40V 4A TO-225AA Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge 172069 pcs stock Datenblatt 2N5190G.pdf
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 40V VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 1.4V @ 1A, 4A
Transistor-Typ NPN Supplier Device-Gehäuse TO-225AA
Serie - Leistung - max 40W
Verpackung Bulk Verpackung / Gehäuse TO-225AA, TO-126-3
Andere Namen 2N5190G-ND
2N5190GOS
Betriebstemperatur -65°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit 2 Weeks Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant
Frequenz - Übergang 2MHz detaillierte Beschreibung Bipolar (BJT) Transistor NPN 40V 4A 2MHz 40W Through Hole TO-225AA
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 25 @ 1.5A, 2V Strom - Collector Cutoff (Max) 1mA
Strom - Kollektor (Ic) (max) 4A Basisteilenummer 2N5190
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