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BC847CDW1T1G

BC847CDW1T1G

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AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Spezifikationen von BC847CDW1T1G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Artikelnummer	BC847CDW1T1G	Hersteller	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung	TRANS 2NPN 45V 0.1A SOT363	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	1453597 pcs stock	Datenblatt	BC847CDW1T1G.pdf
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)	45V	VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic	600mV @ 5mA, 100mA
Transistor-Typ	2 NPN (Dual)	Supplier Device-Gehäuse	SC-88/SC70-6/SOT-363
Serie	-	Leistung - max	380mW
Verpackung	Cut Tape (CT)	Verpackung / Gehäuse	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Andere Namen	BC847CDW1T1GOSCT	Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit	40 Weeks	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Frequenz - Übergang	100MHz	detaillierte Beschreibung	Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 45V 100mA 100MHz 380mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE	420 @ 2mA, 5V	Strom - Collector Cutoff (Max)	15nA (ICBO)
Strom - Kollektor (Ic) (max)	100mA	Basisteilenummer	BC847CD

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