Artikelnummer | DTC114YM3T5G | Hersteller | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
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Beschreibung | TRANS PREBIAS NPN 260MW SOT723 | Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
Verfügbare Menge | 1793613 pcs stock | Datenblatt | DTC114YM3T5G.pdf |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 50V | VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
Transistor-Typ | NPN - Pre-Biased | Supplier Device-Gehäuse | SOT-723 |
Serie | - | Widerstand - Emitterbasis (R2) | 47 kOhms |
Widerstand - Basis (R1) | 10 kOhms | Leistung - max | 260mW |
Verpackung | Tape & Reel (TR) | Verpackung / Gehäuse | SOT-723 |
Andere Namen | DTC114YM3T5G-ND DTC114YM3T5GOSTR |
Befestigungsart | Surface Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) | Hersteller Standard Vorlaufzeit | 4 Weeks |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant | detaillierte Beschreibung | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 260mW Surface Mount SOT-723 |
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE | 80 @ 5mA, 10V | Strom - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
Strom - Kollektor (Ic) (max) | 100mA | Basisteilenummer | DTC114 |
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