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Transistoren-Bipolar (BJT)-einzeln, Pre-biased
DTC114YM3T5G

DTC114YM3T5G

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Produktdetails siehe Spezifikationen.
AMI Semiconductor / ON SemiconductorAMI Semiconductor / ON Semiconductor
Artikelnummer:
DTC114YM3T5G
Hersteller / Marke:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Produktbeschreibung:
TRANS PREBIAS NPN 260MW SOT723
Datenblätte:
DTC114YM3T5G.pdf
RoHS Status:
Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers:
1793613 pcs stock
Liefern von:
Hong Kong
Versandweg:
DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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Spezifikationen von DTC114YM3T5G

AMI Semiconductor / ON SemiconductorAMI Semiconductor / ON Semiconductor
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Artikelnummer DTC114YM3T5G Hersteller AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung TRANS PREBIAS NPN 260MW SOT723 Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge 1793613 pcs stock Datenblatt DTC114YM3T5G.pdf
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50V VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA
Transistor-Typ NPN - Pre-Biased Supplier Device-Gehäuse SOT-723
Serie - Widerstand - Emitterbasis (R2) 47 kOhms
Widerstand - Basis (R1) 10 kOhms Leistung - max 260mW
Verpackung Tape & Reel (TR) Verpackung / Gehäuse SOT-723
Andere Namen DTC114YM3T5G-ND
DTC114YM3T5GOSTR
Befestigungsart Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited) Hersteller Standard Vorlaufzeit 4 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant detaillierte Beschreibung Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 260mW Surface Mount SOT-723
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 80 @ 5mA, 10V Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA
Strom - Kollektor (Ic) (max) 100mA Basisteilenummer DTC114
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