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ECH8663R-TL-H

ECH8663R-TL-H

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AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Spezifikationen von ECH8663R-TL-H

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Artikelnummer	ECH8663R-TL-H	Hersteller	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung	MOSFET 2N-CH 30V 8A ECH8	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	182920 pcs stock	Datenblatt	ECH8663R-TL-H.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	-	Supplier Device-Gehäuse	8-ECH
Serie	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	20.5 mOhm @ 4A, 4.5V
Leistung - max	1.5W	Verpackung	Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse	8-SMD, Flat Lead	Andere Namen	ECH8663R-TL-H-ND ECH8663R-TL-HOSTR
Betriebstemperatur	150°C (TJ)	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Hersteller Standard Vorlaufzeit	4 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant	Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	12.3nC @ 4.5V	Typ FET	2 N-Channel (Dual)
FET-Merkmal	Logic Level Gate	Drain-Source-Spannung (Vdss)	30V
detaillierte Beschreibung	Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 8A 1.5W Surface Mount 8-ECH	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	8A

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