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FDB0105N407L

FDB0105N407L

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Produktdetails siehe Spezifikationen.
AMI Semiconductor / ON SemiconductorAMI Semiconductor / ON Semiconductor
Artikelnummer:
FDB0105N407L
Hersteller / Marke:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Produktbeschreibung:
MOSFET N-CH 40V 460A
Datenblätte:
FDB0105N407L.pdf
RoHS Status:
Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers:
26214 pcs stock
Liefern von:
Hong Kong
Versandweg:
DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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Spezifikationen von FDB0105N407L

AMI Semiconductor / ON SemiconductorAMI Semiconductor / ON Semiconductor
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Artikelnummer FDB0105N407L Hersteller AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung MOSFET N-CH 40V 460A Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge 26214 pcs stock Datenblatt FDB0105N407L.pdf
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Vgs (Max) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) Supplier Device-Gehäuse D²PAK (TO-263)
Serie PowerTrench® Rds On (Max) @ Id, Vgs 0.8 mOhm @ 50A, 10V
Verlustleistung (max) 3.8W (Ta), 300W (Tc) Verpackung Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) Andere Namen FDB0105N407LTR
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Befestigungsart Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited) Hersteller Standard Vorlaufzeit 6 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 23100pF @ 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 291nC @ 10V Typ FET N-Channel
FET-Merkmal - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40V detaillierte Beschreibung N-Channel 40V 460A (Tc) 3.8W (Ta), 300W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 460A (Tc)  
Ausschalten

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