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FDC6301N

FDC6301N

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Produktdetails siehe Spezifikationen.
AMI Semiconductor / ON SemiconductorAMI Semiconductor / ON Semiconductor
Artikelnummer:
FDC6301N
Hersteller / Marke:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Produktbeschreibung:
MOSFET 2N-CH 25V 0.22A SSOT6
Datenblätte:
FDC6301N.pdf
RoHS Status:
Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers:
443162 pcs stock
Liefern von:
Hong Kong
Versandweg:
DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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Spezifikationen von FDC6301N

AMI Semiconductor / ON SemiconductorAMI Semiconductor / ON Semiconductor
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Artikelnummer FDC6301N Hersteller AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung MOSFET 2N-CH 25V 0.22A SSOT6 Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge 443162 pcs stock Datenblatt FDC6301N.pdf
VGS (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA Supplier Device-Gehäuse SuperSOT™-6
Serie - Rds On (Max) @ Id, Vgs 4 Ohm @ 400mA, 4.5V
Leistung - max 700mW Verpackung Original-Reel®
Verpackung / Gehäuse SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Andere Namen FDC6301NDKR
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Befestigungsart Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited) Hersteller Standard Vorlaufzeit 42 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 9.5pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.7nC @ 4.5V Typ FET 2 N-Channel (Dual)
FET-Merkmal Logic Level Gate Drain-Source-Spannung (Vdss) 25V
detaillierte Beschreibung Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 25V 220mA 700mW Surface Mount SuperSOT™-6 Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 220mA
Ausschalten

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