Artikelnummer | FJX3005RTF | Hersteller | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
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Beschreibung | TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323 | Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
Verfügbare Menge | 5909 pcs stock | Datenblatt | FJX3005RTF.pdf |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 50V | VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
Transistor-Typ | NPN - Pre-Biased | Supplier Device-Gehäuse | SOT-323 |
Serie | - | Widerstand - Emitterbasis (R2) | 10 kOhms |
Widerstand - Basis (R1) | 4.7 kOhms | Leistung - max | 200mW |
Verpackung | Tape & Reel (TR) | Verpackung / Gehäuse | SC-70, SOT-323 |
Befestigungsart | Surface Mount | Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant | Frequenz - Übergang | 250MHz |
detaillierte Beschreibung | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount SOT-323 | DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE | 30 @ 5mA, 5V |
Strom - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) | Strom - Kollektor (Ic) (max) | 100mA |
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