Artikelnummer | HUF75852G3 | Hersteller | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
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Beschreibung | MOSFET N-CH 150V 75A TO-247 | Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
Verfügbare Menge | 16424 pcs stock | Datenblatt | HUF75852G3.pdf |
VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA | Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | Supplier Device-Gehäuse | TO-247 |
Serie | UltraFET™ | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16 mOhm @ 75A, 10V |
Verlustleistung (max) | 500W (Tc) | Verpackung | Tube |
Verpackung / Gehäuse | TO-247-3 | Andere Namen | HUF75852G3-ND HUF75852G3FS |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) | Befestigungsart | Through Hole |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) | Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 7690pF @ 25V | Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 480nC @ 20V |
Typ FET | N-Channel | FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | Drain-Source-Spannung (Vdss) | 150V |
detaillierte Beschreibung | N-Channel 150V 75A (Tc) 500W (Tc) Through Hole TO-247 | Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 75A (Tc) |
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