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Transistoren-Bipolar (BJT)-Einzel

KSB1151YSTU

KSB1151YSTU

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AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Spezifikationen von KSB1151YSTU

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Artikelnummer	KSB1151YSTU	Hersteller	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung	TRANS PNP 60V 5A TO-126	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	186876 pcs stock	Datenblatt	KSB1151YSTU.pdf
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)	60V	VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic	300mV @ 200mA, 2A
Transistor-Typ	PNP	Supplier Device-Gehäuse	TO-126-3
Serie	-	Leistung - max	1.3W
Verpackung	Tube	Verpackung / Gehäuse	TO-225AA, TO-126-3
Betriebstemperatur	150°C (TJ)	Befestigungsart	Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Hersteller Standard Vorlaufzeit	18 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant	Frequenz - Übergang	-
detaillierte Beschreibung	Bipolar (BJT) Transistor PNP 60V 5A 1.3W Through Hole TO-126-3	DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE	160 @ 2A, 1V
Strom - Collector Cutoff (Max)	10µA (ICBO)	Strom - Kollektor (Ic) (max)	5A
Basisteilenummer	KSB1151

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