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MMBD354LT1G

MMBD354LT1G

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AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Spezifikationen von MMBD354LT1G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Artikelnummer	MMBD354LT1G	Hersteller	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung	DIODE SWITCH DUAL 7V SOT23	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	808696 pcs stock	Datenblatt	MMBD354LT1G.pdf
Spannung - Spitzensperr- (max)	7V	Supplier Device-Gehäuse	SOT-23-3 (TO-236)
Serie	-	Widerstand @ If, F	-
Verlustleistung (max)	225mW	Verpackung	Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Andere Namen	MMBD354LT1GOSCT
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit	2 Weeks	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Diodentyp	Schottky - 1 Pair Common Cathode	detaillierte Beschreibung	RF Diode Schottky - 1 Pair Common Cathode 7V 225mW SOT-23-3 (TO-236)
Kapazität @ Vr, F	1pF @ 0V, 1MHz	Basisteilenummer	MMBD354

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