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Transistoren-bipolare (BJT)-Arrays, Pre-biased
NSBA113EDXV6T1

NSBA113EDXV6T1

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Produktdetails siehe Spezifikationen.
AMI Semiconductor / ON SemiconductorAMI Semiconductor / ON Semiconductor
Artikelnummer:
NSBA113EDXV6T1
Hersteller / Marke:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Produktbeschreibung:
TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
Datenblätte:
NSBA113EDXV6T1.pdf
RoHS Status:
Enthält Blei / RoHS nicht konform
Zustand des Lagers:
5395 pcs stock
Liefern von:
Hong Kong
Versandweg:
DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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Spezifikationen von NSBA113EDXV6T1

AMI Semiconductor / ON SemiconductorAMI Semiconductor / ON Semiconductor
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Artikelnummer NSBA113EDXV6T1 Hersteller AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563 Bleifreier Status / RoHS Status Enthält Blei / RoHS nicht konform
Verfügbare Menge 5395 pcs stock Datenblatt NSBA113EDXV6T1.pdf
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50V VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 5mA, 10mA
Transistor-Typ 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Supplier Device-Gehäuse SOT-563
Serie - Widerstand - Emitterbasis (R2) 1 kOhms
Widerstand - Basis (R1) 1 kOhms Leistung - max 500mW
Verpackung Tape & Reel (TR) Verpackung / Gehäuse SOT-563, SOT-666
Andere Namen NSBA113EDXV6T1OS Befestigungsart Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited) Bleifreier Status / RoHS-Status Contains lead / RoHS non-compliant
Frequenz - Übergang - detaillierte Beschreibung Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 500mW Surface Mount SOT-563
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 3 @ 5mA, 10V Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA
Strom - Kollektor (Ic) (max) 100mA Basisteilenummer NSBA1*
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