Artikelnummer | NSBA113EDXV6T1 | Hersteller | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
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Beschreibung | TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563 | Bleifreier Status / RoHS Status | Enthält Blei / RoHS nicht konform |
Verfügbare Menge | 5395 pcs stock | Datenblatt | NSBA113EDXV6T1.pdf |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 50V | VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 5mA, 10mA |
Transistor-Typ | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) | Supplier Device-Gehäuse | SOT-563 |
Serie | - | Widerstand - Emitterbasis (R2) | 1 kOhms |
Widerstand - Basis (R1) | 1 kOhms | Leistung - max | 500mW |
Verpackung | Tape & Reel (TR) | Verpackung / Gehäuse | SOT-563, SOT-666 |
Andere Namen | NSBA113EDXV6T1OS | Befestigungsart | Surface Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) | Bleifreier Status / RoHS-Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
Frequenz - Übergang | - | detaillierte Beschreibung | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 500mW Surface Mount SOT-563 |
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE | 3 @ 5mA, 10V | Strom - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
Strom - Kollektor (Ic) (max) | 100mA | Basisteilenummer | NSBA1* |
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