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Transistoren-bipolare (BJT)-Arrays, Pre-biased
NSBA123JDP6T5G

NSBA123JDP6T5G

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Produktdetails siehe Spezifikationen.
AMI Semiconductor / ON SemiconductorAMI Semiconductor / ON Semiconductor
Artikelnummer:
NSBA123JDP6T5G
Hersteller / Marke:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Produktbeschreibung:
TRANS 2PNP PREBIAS 0.408W SOT963
Datenblätte:
NSBA123JDP6T5G.pdf
RoHS Status:
Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers:
524043 pcs stock
Liefern von:
Hong Kong
Versandweg:
DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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Spezifikationen von NSBA123JDP6T5G

AMI Semiconductor / ON SemiconductorAMI Semiconductor / ON Semiconductor
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Artikelnummer NSBA123JDP6T5G Hersteller AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung TRANS 2PNP PREBIAS 0.408W SOT963 Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge 524043 pcs stock Datenblatt NSBA123JDP6T5G.pdf
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50V VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA
Transistor-Typ 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Supplier Device-Gehäuse SOT-963
Serie - Widerstand - Emitterbasis (R2) 47 kOhms
Widerstand - Basis (R1) 2.2 kOhms Leistung - max 408mW
Verpackung Tape & Reel (TR) Verpackung / Gehäuse SOT-963
Befestigungsart Surface Mount Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit 6 Weeks Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant
Frequenz - Übergang - detaillierte Beschreibung Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 408mW Surface Mount SOT-963
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 80 @ 5mA, 10V Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA
Strom - Kollektor (Ic) (max) 100mA Basisteilenummer NSBA1*
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