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Transistoren-bipolare (BJT)-Arrays, Pre-biased
NSBC114EDXV6T5G

NSBC114EDXV6T5G

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Produktdetails siehe Spezifikationen.
AMI Semiconductor / ON SemiconductorAMI Semiconductor / ON Semiconductor
Artikelnummer:
NSBC114EDXV6T5G
Hersteller / Marke:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Produktbeschreibung:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563
Datenblätte:
NSBC114EDXV6T5G.pdf
RoHS Status:
Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers:
894719 pcs stock
Liefern von:
Hong Kong
Versandweg:
DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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Spezifikationen von NSBC114EDXV6T5G

AMI Semiconductor / ON SemiconductorAMI Semiconductor / ON Semiconductor
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Artikelnummer NSBC114EDXV6T5G Hersteller AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563 Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge 894719 pcs stock Datenblatt NSBC114EDXV6T5G.pdf
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50V VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA
Transistor-Typ 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Supplier Device-Gehäuse SOT-563
Serie - Widerstand - Emitterbasis (R2) 10 kOhms
Widerstand - Basis (R1) 10 kOhms Leistung - max 500mW
Verpackung Tape & Reel (TR) Verpackung / Gehäuse SOT-563, SOT-666
Andere Namen NSBC114EDXV6T5GOS
NSBC114EDXV6T5GOS-ND
NSBC114EDXV6T5GOSTR
Befestigungsart Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited) Hersteller Standard Vorlaufzeit 6 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant Frequenz - Übergang -
detaillierte Beschreibung Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 500mW Surface Mount SOT-563 DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 35 @ 5mA, 10V
Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA Strom - Kollektor (Ic) (max) 100mA
Basisteilenummer NSBC1*  
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