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Transistoren-bipolare (BJT)-Arrays, Pre-biased
NSBC124XPDXV6T1G

NSBC124XPDXV6T1G

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Produktdetails siehe Spezifikationen.
AMI Semiconductor / ON SemiconductorAMI Semiconductor / ON Semiconductor
Artikelnummer:
NSBC124XPDXV6T1G
Hersteller / Marke:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Produktbeschreibung:
TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
Datenblätte:
NSBC124XPDXV6T1G.pdf
RoHS Status:
Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers:
6027 pcs stock
Liefern von:
Hong Kong
Versandweg:
DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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Spezifikationen von NSBC124XPDXV6T1G

AMI Semiconductor / ON SemiconductorAMI Semiconductor / ON Semiconductor
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Artikelnummer NSBC124XPDXV6T1G Hersteller AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563 Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge 6027 pcs stock Datenblatt NSBC124XPDXV6T1G.pdf
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50V VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 1mA, 10mA
Transistor-Typ 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Supplier Device-Gehäuse SOT-563
Serie - Widerstand - Emitterbasis (R2) 47 kOhms
Widerstand - Basis (R1) 22 kOhms Leistung - max 500mW
Verpackung Tape & Reel (TR) Verpackung / Gehäuse SOT-563, SOT-666
Andere Namen NSBC124XPDXV6T1GOS Befestigungsart Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited) Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant
Frequenz - Übergang - detaillierte Beschreibung Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 500mW Surface Mount SOT-563
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 80 @ 5mA, 10V Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA
Strom - Kollektor (Ic) (max) 100mA Basisteilenummer NSBC1*
Ausschalten

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