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Transistoren-bipolare (BJT)-Arrays, Pre-biased
NSVMUN5215DW1T1G

NSVMUN5215DW1T1G

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Produktdetails siehe Spezifikationen.
AMI Semiconductor / ON SemiconductorAMI Semiconductor / ON Semiconductor
Artikelnummer:
NSVMUN5215DW1T1G
Hersteller / Marke:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Produktbeschreibung:
TRANS NPN 50V DUAL BIPO SC88-6
Datenblätte:
NSVMUN5215DW1T1G.pdf
RoHS Status:
Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers:
544215 pcs stock
Liefern von:
Hong Kong
Versandweg:
DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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Spezifikationen von NSVMUN5215DW1T1G

AMI Semiconductor / ON SemiconductorAMI Semiconductor / ON Semiconductor
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Artikelnummer NSVMUN5215DW1T1G Hersteller AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung TRANS NPN 50V DUAL BIPO SC88-6 Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge 544215 pcs stock Datenblatt NSVMUN5215DW1T1G.pdf
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50V VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 1mA, 10mA
Transistor-Typ 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Supplier Device-Gehäuse SC-88/SC70-6/SOT-363
Serie - Widerstand - Emitterbasis (R2) -
Widerstand - Basis (R1) 10 kOhms Leistung - max 250mW
Verpackung Cut Tape (CT) Verpackung / Gehäuse 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Andere Namen NSVMUN5215DW1T1GOSCT Befestigungsart Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited) Hersteller Standard Vorlaufzeit 40 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant Frequenz - Übergang -
detaillierte Beschreibung Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363 DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 160 @ 5mA, 10V
Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA Strom - Kollektor (Ic) (max) 100mA
Ausschalten

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