Artikelnummer | ALD212908ASAL | Hersteller | Advanced Linear Devices, Inc. |
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Beschreibung | MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8SOIC | Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
Verfügbare Menge | 25398 pcs stock | Datenblatt | ALD212908ASAL.pdf |
VGS (th) (Max) @ Id | 20mV @ 10µA | Supplier Device-Gehäuse | 8-SOIC |
Serie | EPAD®, Zero Threshold™ | Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
Leistung - max | 500mW | Verpackung | Tube |
Verpackung / Gehäuse | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | Betriebstemperatur | 0°C ~ 70°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount | Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
Hersteller Standard Vorlaufzeit | 8 Weeks | Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | - | Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Typ FET | 2 N-Channel (Dual) Matched Pair | FET-Merkmal | Logic Level Gate |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 10.6V | detaillierte Beschreibung | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Matched Pair 10.6V 80mA 500mW Surface Mount 8-SOIC |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 80mA |
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