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Transistoren-Bipolar (BJT)-einzeln, Pre-biased

DDTA144WUA-7-F

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Diodes Incorporated

Spezifikationen von DDTA144WUA-7-F

Diodes Incorporated

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Artikelnummer	DDTA144WUA-7-F	Hersteller	Diodes Incorporated
Beschreibung	TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	1170043 pcs stock	Datenblatt	DDTA144WUA-7-F.pdf
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)	50V	VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic	300mV @ 500µA, 10mA
Transistor-Typ	PNP - Pre-Biased	Supplier Device-Gehäuse	SOT-323
Serie	-	Widerstand - Emitterbasis (R2)	22 kOhms
Widerstand - Basis (R1)	47 kOhms	Leistung - max	200mW
Verpackung	Cut Tape (CT)	Verpackung / Gehäuse	SC-70, SOT-323
Andere Namen	DDTA144WUA-FDICT	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Frequenz - Übergang	250MHz	detaillierte Beschreibung	Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount SOT-323
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE	56 @ 10mA, 5V	Strom - Collector Cutoff (Max)	500nA
Strom - Kollektor (Ic) (max)	100mA	Basisteilenummer	DDTA144

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