Artikelnummer | EPC2105 | Hersteller | EPC |
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Beschreibung | TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID | Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
Verfügbare Menge | 16253 pcs stock | Datenblatt | EPC2105.pdf |
VGS (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 2.5mA, 2.5V @ 10mA | Supplier Device-Gehäuse | Die |
Serie | eGaN® | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14.5 mOhm @ 20A, 5V, 3.4 mOhm @ 20A, 5V |
Leistung - max | - | Verpackung | Original-Reel® |
Verpackung / Gehäuse | Die | Andere Namen | 917-1185-6 |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) | Befestigungsart | Surface Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) | Hersteller Standard Vorlaufzeit | 14 Weeks |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant | Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 300pF @ 40V, 1100pF @ 40V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2.5nC @ 5V, 10nC @ 5V | Typ FET | 2 N-Channel (Half Bridge) |
FET-Merkmal | GaNFET (Gallium Nitride) | Drain-Source-Spannung (Vdss) | 80V |
detaillierte Beschreibung | Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 80V 9.5A, 38A Surface Mount Die | Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 9.5A, 38A |
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