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Transistoren-FETs, MOSFETs-Arrays
EPC2105

EPC2105

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Produktdetails siehe Spezifikationen.
EPCEPC
Artikelnummer:
EPC2105
Hersteller / Marke:
EPC
Produktbeschreibung:
TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID
Datenblätte:
EPC2105.pdf
RoHS Status:
Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers:
16253 pcs stock
Liefern von:
Hong Kong
Versandweg:
DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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Spezifikationen von EPC2105

EPCEPC
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Artikelnummer EPC2105 Hersteller EPC
Beschreibung TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge 16253 pcs stock Datenblatt EPC2105.pdf
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 2.5mA, 2.5V @ 10mA Supplier Device-Gehäuse Die
Serie eGaN® Rds On (Max) @ Id, Vgs 14.5 mOhm @ 20A, 5V, 3.4 mOhm @ 20A, 5V
Leistung - max - Verpackung Original-Reel®
Verpackung / Gehäuse Die Andere Namen 917-1185-6
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Befestigungsart Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited) Hersteller Standard Vorlaufzeit 14 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 300pF @ 40V, 1100pF @ 40V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2.5nC @ 5V, 10nC @ 5V Typ FET 2 N-Channel (Half Bridge)
FET-Merkmal GaNFET (Gallium Nitride) Drain-Source-Spannung (Vdss) 80V
detaillierte Beschreibung Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 80V 9.5A, 38A Surface Mount Die Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 9.5A, 38A
Ausschalten

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