Artikelnummer | SI7110DN-T1-E3 | Hersteller | Electro-Films (EFI) / Vishay |
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Beschreibung | MOSFET N-CH 20V 13.5A 1212-8 | Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
Verfügbare Menge | 68127 pcs stock | Datenblatt | SI7110DN-T1-E3.pdf |
VGS (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA | Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | Supplier Device-Gehäuse | PowerPAK® 1212-8 |
Serie | TrenchFET® | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.3 mOhm @ 21.1A, 10V |
Verlustleistung (max) | 1.5W (Ta) | Verpackung | Cut Tape (CT) |
Verpackung / Gehäuse | PowerPAK® 1212-8 | Andere Namen | SI7110DN-T1-E3CT |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) | Befestigungsart | Surface Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) | Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 21nC @ 4.5V | Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - | Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 20V | detaillierte Beschreibung | N-Channel 20V 13.5A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount PowerPAK® 1212-8 |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 13.5A (Ta) |
FEDEX | www.FedEx.com | Ab 35,00 USD hängt die Grundversandgebühr von Zone und Land ab. |
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