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SI7110DN-T1-E3

SI7110DN-T1-E3

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Produktdetails siehe Spezifikationen.
Electro-Films (EFI) / VishayElectro-Films (EFI) / Vishay
Artikelnummer:
SI7110DN-T1-E3
Hersteller / Marke:
Electro-Films (EFI) / Vishay
Produktbeschreibung:
MOSFET N-CH 20V 13.5A 1212-8
Datenblätte:
SI7110DN-T1-E3.pdf
RoHS Status:
Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers:
68127 pcs stock
Liefern von:
Hong Kong
Versandweg:
DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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Spezifikationen von SI7110DN-T1-E3

Electro-Films (EFI) / VishayElectro-Films (EFI) / Vishay
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Artikelnummer SI7110DN-T1-E3 Hersteller Electro-Films (EFI) / Vishay
Beschreibung MOSFET N-CH 20V 13.5A 1212-8 Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge 68127 pcs stock Datenblatt SI7110DN-T1-E3.pdf
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA Vgs (Max) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) Supplier Device-Gehäuse PowerPAK® 1212-8
Serie TrenchFET® Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.3 mOhm @ 21.1A, 10V
Verlustleistung (max) 1.5W (Ta) Verpackung Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse PowerPAK® 1212-8 Andere Namen SI7110DN-T1-E3CT
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Befestigungsart Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited) Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 21nC @ 4.5V Typ FET N-Channel
FET-Merkmal - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20V detaillierte Beschreibung N-Channel 20V 13.5A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 13.5A (Ta)  
Ausschalten

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