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SI7788DP-T1-GE3

SI7788DP-T1-GE3

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Produktdetails siehe Spezifikationen.
Electro-Films (EFI) / VishayElectro-Films (EFI) / Vishay
Artikelnummer:
SI7788DP-T1-GE3
Hersteller / Marke:
Electro-Films (EFI) / Vishay
Produktbeschreibung:
MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8
Datenblätte:
SI7788DP-T1-GE3.pdf
RoHS Status:
Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers:
62965 pcs stock
Liefern von:
Hong Kong
Versandweg:
DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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Spezifikationen von SI7788DP-T1-GE3

Electro-Films (EFI) / VishayElectro-Films (EFI) / Vishay
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Artikelnummer SI7788DP-T1-GE3 Hersteller Electro-Films (EFI) / Vishay
Beschreibung MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8 Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge 62965 pcs stock Datenblatt SI7788DP-T1-GE3.pdf
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA Vgs (Max) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) Supplier Device-Gehäuse PowerPAK® SO-8
Serie TrenchFET® Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.1 mOhm @ 15A, 10V
Verlustleistung (max) 5.2W (Ta), 69W (Tc) Verpackung Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse PowerPAK® SO-8 Andere Namen SI7788DP-T1-GE3TR
SI7788DPT1GE3
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Befestigungsart Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited) Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5370pF @ 15V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 125nC @ 10V
Typ FET N-Channel FET-Merkmal -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V
detaillierte Beschreibung N-Channel 30V 50A (Tc) 5.2W (Ta), 69W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8 Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 50A (Tc)
Ausschalten

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