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MBR300100CT

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GeneSiC Semiconductor

Spezifikationen von MBR300100CT

GeneSiC Semiconductor

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Artikelnummer	MBR300100CT	Hersteller	GeneSiC Semiconductor
Beschreibung	DIODE MODULE 100V 300A 2TOWER	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	1996 pcs stock	Datenblatt	1.MBR300100CT.pdf2.MBR300100CT.pdf
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If	840mV @ 150A	Spannung - Sperr (Vr) (max)	100V
Supplier Device-Gehäuse	Twin Tower	Geschwindigkeit	Fast Recovery = 200mA (Io)
Serie	-	Verpackung	Bulk
Verpackung / Gehäuse	Twin Tower	Andere Namen	MBR300100CTGN
Befestigungsart	Chassis Mount	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit	4 Weeks	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Diodentyp	Schottky	Diodenkonfiguration	1 Pair Common Cathode
detaillierte Beschreibung	Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 100V 300A (DC) Chassis Mount Twin Tower	Strom - Sperrleckstrom @ Vr	8mA @ 20V
Strom - Richt (Io) (pro Diode)	300A (DC)

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