Artikelnummer | IS45S16160J-6BLA1-TR | Hersteller | ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.) |
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Beschreibung | IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA | Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
Verfügbare Menge | 18699 pcs stock | Datenblatt | IS45S16160J-6BLA1-TR.pdf |
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite | - | Spannungsversorgung | 3 V ~ 3.6 V |
Technologie | SDRAM | Supplier Device-Gehäuse | 54-TFBGA (8x8) |
Serie | - | Verpackung | Tape & Reel (TR) |
Verpackung / Gehäuse | 54-TFBGA | Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C (TA) |
Befestigungsart | Surface Mount | Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 3 (168 Hours) |
Speichertyp | Volatile | Speichergröße | 256Mb (16M x 16) |
Speicherschnittstelle | Parallel | Speicherformat | DRAM |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant | detaillierte Beschreibung | SDRAM Memory IC 256Mb (16M x 16) Parallel 166MHz 5.4ns 54-TFBGA (8x8) |
Uhrfrequenz | 166MHz | Zugriffszeit | 5.4ns |
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