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IPS12CN10LGBKMA1

IPS12CN10LGBKMA1

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Produktdetails siehe Spezifikationen.
International Rectifier (Infineon Technologies)International Rectifier (Infineon Technologies)
Artikelnummer:
IPS12CN10LGBKMA1
Hersteller / Marke:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Produktbeschreibung:
MOSFET N-CH 100V 69A TO251-3-11
Datenblätte:
IPS12CN10LGBKMA1.pdf
RoHS Status:
Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers:
5422 pcs stock
Liefern von:
Hong Kong
Versandweg:
DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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Spezifikationen von IPS12CN10LGBKMA1

International Rectifier (Infineon Technologies)International Rectifier (Infineon Technologies)
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Artikelnummer IPS12CN10LGBKMA1 Hersteller International Rectifier (Infineon Technologies)
Beschreibung MOSFET N-CH 100V 69A TO251-3-11 Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge 5422 pcs stock Datenblatt IPS12CN10LGBKMA1.pdf
VGS (th) (Max) @ Id 2.4V @ 83µA Vgs (Max) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) Supplier Device-Gehäuse PG-TO251-3
Serie OptiMOS™ Rds On (Max) @ Id, Vgs 11.8 mOhm @ 69A, 10V
Verlustleistung (max) 125W (Tc) Verpackung Tube
Verpackung / Gehäuse TO-251-3 Stub Leads, IPak Andere Namen IPS12CN10L G
IPS12CN10L G-ND
SP000311530
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Befestigungsart Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited) Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5600pF @ 50V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 58nC @ 10V
Typ FET N-Channel FET-Merkmal -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Drain-Source-Spannung (Vdss) 100V
detaillierte Beschreibung N-Channel 100V 69A (Tc) 125W (Tc) Through Hole PG-TO251-3 Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 69A (Tc)
Ausschalten

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