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Transistoren-Bipolar (BJT)-Einzel

2SC4132T100P

2SC4132T100P

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LAPIS Semiconductor

Spezifikationen von 2SC4132T100P

LAPIS Semiconductor

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Artikelnummer	2SC4132T100P	Hersteller	LAPIS Semiconductor
Beschreibung	TRANS NPN 120V 2A SOT89	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	183005 pcs stock	Datenblatt	2SC4132T100P.pdf
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)	120V	VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic	2V @ 100mA, 1A
Transistor-Typ	NPN	Supplier Device-Gehäuse	MPT3
Serie	-	Leistung - max	2W
Verpackung	Tape & Reel (TR)	Verpackung / Gehäuse	TO-243AA
Betriebstemperatur	150°C (TJ)	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Frequenz - Übergang	80MHz	detaillierte Beschreibung	Bipolar (BJT) Transistor NPN 120V 2A 80MHz 2W Surface Mount MPT3
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE	82 @ 100mA, 5V	Strom - Collector Cutoff (Max)	1µA (ICBO)
Strom - Kollektor (Ic) (max)	2A	Basisteilenummer	2SC4132

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