Artikelnummer | DTA123EKAT146 | Hersteller | LAPIS Semiconductor |
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Beschreibung | TRANS PREBIAS PNP 200MW SMT3 | Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
Verfügbare Menge | 1484313 pcs stock | Datenblatt | 1.DTA123EKAT146.pdf2.DTA123EKAT146.pdf |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 50V | VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
Transistor-Typ | PNP - Pre-Biased | Supplier Device-Gehäuse | SMT3 |
Serie | - | Widerstand - Emitterbasis (R2) | 2.2 kOhms |
Widerstand - Basis (R1) | 2.2 kOhms | Leistung - max | 200mW |
Verpackung | Cut Tape (CT) | Verpackung / Gehäuse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Andere Namen | DTA123EKAT146CT | Befestigungsart | Surface Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) | Hersteller Standard Vorlaufzeit | 10 Weeks |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant | Frequenz - Übergang | 250MHz |
detaillierte Beschreibung | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount SMT3 | DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE | 20 @ 20mA, 5V |
Strom - Collector Cutoff (Max) | 500nA (ICBO) | Strom - Kollektor (Ic) (max) | 100mA |
Basisteilenummer | DTA123 |
FEDEX | www.FedEx.com | Ab 35,00 USD hängt die Grundversandgebühr von Zone und Land ab. |
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