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Transistoren-Bipolar (BJT)-einzeln, Pre-biased
DTA123EKAT146

DTA123EKAT146

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Produktdetails siehe Spezifikationen.
LAPIS SemiconductorLAPIS Semiconductor
Artikelnummer:
DTA123EKAT146
Hersteller / Marke:
LAPIS Semiconductor
Produktbeschreibung:
TRANS PREBIAS PNP 200MW SMT3
Datenblätte:
1.DTA123EKAT146.pdf2.DTA123EKAT146.pdf
RoHS Status:
Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers:
1484313 pcs stock
Liefern von:
Hong Kong
Versandweg:
DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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Spezifikationen von DTA123EKAT146

LAPIS SemiconductorLAPIS Semiconductor
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Artikelnummer DTA123EKAT146 Hersteller LAPIS Semiconductor
Beschreibung TRANS PREBIAS PNP 200MW SMT3 Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge 1484313 pcs stock Datenblatt 1.DTA123EKAT146.pdf2.DTA123EKAT146.pdf
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50V VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA
Transistor-Typ PNP - Pre-Biased Supplier Device-Gehäuse SMT3
Serie - Widerstand - Emitterbasis (R2) 2.2 kOhms
Widerstand - Basis (R1) 2.2 kOhms Leistung - max 200mW
Verpackung Cut Tape (CT) Verpackung / Gehäuse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Andere Namen DTA123EKAT146CT Befestigungsart Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited) Hersteller Standard Vorlaufzeit 10 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant Frequenz - Übergang 250MHz
detaillierte Beschreibung Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount SMT3 DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 20 @ 20mA, 5V
Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA (ICBO) Strom - Kollektor (Ic) (max) 100mA
Basisteilenummer DTA123  
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