Artikelnummer | DTB143ECT116 | Hersteller | LAPIS Semiconductor |
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Beschreibung | PNP -500MA/-50V DIGITAL TRANSIST | Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
Verfügbare Menge | 1066702 pcs stock | Datenblatt | 1.DTB143ECT116.pdf2.DTB143ECT116.pdf |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 50V | VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 2.5mA, 50mA |
Transistor-Typ | PNP - Pre-Biased | Supplier Device-Gehäuse | SST3 |
Serie | - | Widerstand - Emitterbasis (R2) | 4.7 kOhms |
Widerstand - Basis (R1) | 4.7 kOhms | Leistung - max | 200mW |
Verpackung | Original-Reel® | Verpackung / Gehäuse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Andere Namen | DTB143ECT116DKR | Befestigungsart | Surface Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) | Hersteller Standard Vorlaufzeit | 10 Weeks |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant | Frequenz - Übergang | 200MHz |
detaillierte Beschreibung | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 500mA 200MHz 200mW Surface Mount SST3 | DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE | 47 @ 50mA, 5V |
Strom - Collector Cutoff (Max) | 500nA | Strom - Kollektor (Ic) (max) | 500mA |
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