Wählen Sie Ihr Land oder Ihre Region.

Zuhause
Produkte
Diskrete Halbleiter-Produkte
Transistoren-Bipolar (BJT)-einzeln, Pre-biased
DTB143ECT116

DTB143ECT116

DTB143ECT116 Image
Bild kann Darstellung sein.
Produktdetails siehe Spezifikationen.
LAPIS SemiconductorLAPIS Semiconductor
Artikelnummer:
DTB143ECT116
Hersteller / Marke:
LAPIS Semiconductor
Produktbeschreibung:
PNP -500MA/-50V DIGITAL TRANSIST
Datenblätte:
1.DTB143ECT116.pdf2.DTB143ECT116.pdf
RoHS Status:
Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers:
1066702 pcs stock
Liefern von:
Hong Kong
Versandweg:
DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

ONLINE-ANFRAGE

Bitte füllen Sie alle erforderlichen Felder mit Ihren Kontaktinformationen aus. Klicken Sie auf " SENDEN RFQ "
. Wir werden Sie in Kürze per E-Mail kontaktieren. Oder mailen Sie uns: info@Micro-Semiconductors.com

In Stock 1066702 pcs Referenzpreis (in US-Dollar)

  • 1 pcs
    $0.12
  • 10 pcs
    $0.108
  • 25 pcs
    $0.078
  • 100 pcs
    $0.061
  • 250 pcs
    $0.038
  • 500 pcs
    $0.032
  • 1000 pcs
    $0.022
Zielpreis(USD):
Menge:
Bitte geben Sie uns Ihr Kursziel an, wenn die Mengen größer als die angezeigten sind.
Gesamt: $0.00
DTB143ECT116
Unternehmen
Kontaktname
Email
Nachricht
DTB143ECT116 Image

Spezifikationen von DTB143ECT116

LAPIS SemiconductorLAPIS Semiconductor
(Klicken Sie auf das Leerzeichen, um es automatisch zu schließen)
Artikelnummer DTB143ECT116 Hersteller LAPIS Semiconductor
Beschreibung PNP -500MA/-50V DIGITAL TRANSIST Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge 1066702 pcs stock Datenblatt 1.DTB143ECT116.pdf2.DTB143ECT116.pdf
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50V VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 2.5mA, 50mA
Transistor-Typ PNP - Pre-Biased Supplier Device-Gehäuse SST3
Serie - Widerstand - Emitterbasis (R2) 4.7 kOhms
Widerstand - Basis (R1) 4.7 kOhms Leistung - max 200mW
Verpackung Original-Reel® Verpackung / Gehäuse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Andere Namen DTB143ECT116DKR Befestigungsart Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited) Hersteller Standard Vorlaufzeit 10 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant Frequenz - Übergang 200MHz
detaillierte Beschreibung Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 500mA 200MHz 200mW Surface Mount SST3 DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 47 @ 50mA, 5V
Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA Strom - Kollektor (Ic) (max) 500mA
Ausschalten

relevante Produkte

Verwandte Tags

Heiße Informationen