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Transistoren-Bipolar (BJT)-einzeln, Pre-biased
DTC115EMT2L

DTC115EMT2L

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Produktdetails siehe Spezifikationen.
LAPIS SemiconductorLAPIS Semiconductor
Artikelnummer:
DTC115EMT2L
Hersteller / Marke:
LAPIS Semiconductor
Produktbeschreibung:
TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3
Datenblätte:
1.DTC115EMT2L.pdf2.DTC115EMT2L.pdf
RoHS Status:
Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers:
935841 pcs stock
Liefern von:
Hong Kong
Versandweg:
DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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Spezifikationen von DTC115EMT2L

LAPIS SemiconductorLAPIS Semiconductor
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Artikelnummer DTC115EMT2L Hersteller LAPIS Semiconductor
Beschreibung TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3 Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge 935841 pcs stock Datenblatt 1.DTC115EMT2L.pdf2.DTC115EMT2L.pdf
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50V VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor-Typ NPN - Pre-Biased Supplier Device-Gehäuse VMT3
Serie - Widerstand - Emitterbasis (R2) 100 kOhms
Widerstand - Basis (R1) 100 kOhms Leistung - max 150mW
Verpackung Tape & Reel (TR) Verpackung / Gehäuse SOT-723
Andere Namen DTC115EMT2LTR Befestigungsart Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited) Hersteller Standard Vorlaufzeit 10 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant Frequenz - Übergang 250MHz
detaillierte Beschreibung Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 20mA 250MHz 150mW Surface Mount VMT3 DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 82 @ 5mA, 5V
Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA Strom - Kollektor (Ic) (max) 20mA
Basisteilenummer DTC115  
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