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Transistoren-bipolare (BJT)-Arrays, Pre-biased

IMD8AT108

IMD8AT108

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LAPIS Semiconductor

Spezifikationen von IMD8AT108

LAPIS Semiconductor

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Artikelnummer	IMD8AT108	Hersteller	LAPIS Semiconductor
Beschreibung	TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	510618 pcs stock	Datenblatt	IMD8AT108.pdf
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)	50V	VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic	300mV @ 500µA, 5mA
Transistor-Typ	1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)	Supplier Device-Gehäuse	SMT6
Serie	-	Widerstand - Emitterbasis (R2)	-
Widerstand - Basis (R1)	47 kOhms	Leistung - max	300mW
Verpackung	Tape & Reel (TR)	Verpackung / Gehäuse	SC-74, SOT-457
Befestigungsart	Surface Mount	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant	Frequenz - Übergang	-
detaillierte Beschreibung	Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 300mW Surface Mount SMT6	DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE	100 @ 1mA, 5V
Strom - Collector Cutoff (Max)	-	Strom - Kollektor (Ic) (max)	100mA

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