Wählen Sie Ihr Land oder Ihre Region.

Zuhause
Produkte
Diskrete Halbleiter-Produkte
Transistoren-bipolare (BJT)-Arrays, Pre-biased
IMH14AT108

IMH14AT108

IMH14AT108 Image
Bild kann Darstellung sein.
Produktdetails siehe Spezifikationen.
LAPIS SemiconductorLAPIS Semiconductor
Artikelnummer:
IMH14AT108
Hersteller / Marke:
LAPIS Semiconductor
Produktbeschreibung:
TRANS PREBIAS DUAL NPN SMT6
Datenblätte:
IMH14AT108.pdf
RoHS Status:
Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers:
336470 pcs stock
Liefern von:
Hong Kong
Versandweg:
DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

ONLINE-ANFRAGE

Bitte füllen Sie alle erforderlichen Felder mit Ihren Kontaktinformationen aus. Klicken Sie auf " SENDEN RFQ "
. Wir werden Sie in Kürze per E-Mail kontaktieren. Oder mailen Sie uns: info@Micro-Semiconductors.com

In Stock 336470 pcs Referenzpreis (in US-Dollar)

  • 1 pcs
    $0.162
  • 10 pcs
    $0.135
  • 25 pcs
    $0.118
  • 100 pcs
    $0.102
  • 250 pcs
    $0.088
  • 500 pcs
    $0.074
  • 1000 pcs
    $0.058
Zielpreis(USD):
Menge:
Bitte geben Sie uns Ihr Kursziel an, wenn die Mengen größer als die angezeigten sind.
Gesamt: $0.00
IMH14AT108
Unternehmen
Kontaktname
Email
Nachricht
IMH14AT108 Image

Spezifikationen von IMH14AT108

LAPIS SemiconductorLAPIS Semiconductor
(Klicken Sie auf das Leerzeichen, um es automatisch zu schließen)
Artikelnummer IMH14AT108 Hersteller LAPIS Semiconductor
Beschreibung TRANS PREBIAS DUAL NPN SMT6 Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge 336470 pcs stock Datenblatt IMH14AT108.pdf
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50V VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 1mA, 10mA
Transistor-Typ 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Supplier Device-Gehäuse SMT6
Serie - Widerstand - Emitterbasis (R2) -
Widerstand - Basis (R1) 47 kOhms Leistung - max 300mW
Verpackung Cut Tape (CT) Verpackung / Gehäuse SC-74, SOT-457
Andere Namen IMH14AT108CT Befestigungsart Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited) Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant
Frequenz - Übergang 250MHz detaillierte Beschreibung Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 300mW Surface Mount SMT6
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 100 @ 1mA, 5V Strom - Collector Cutoff (Max) -
Strom - Kollektor (Ic) (max) 100mA Basisteilenummer *MH14
Ausschalten

relevante Produkte

Verwandte Tags

Heiße Informationen