LAPIS Semiconductor
LAPIS Semiconductor| Artikelnummer | RGT8BM65DTL | Hersteller | LAPIS Semiconductor |
|---|---|---|---|
| Beschreibung | IGBT 650V 8A 62W TO-252 | Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
| Verfügbare Menge | 59406 pcs stock | Datenblatt | 1.RGT8BM65DTL.pdf2.RGT8BM65DTL.pdf |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 650V | VCE (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 4A |
| Testbedingung | 400V, 4A, 50 Ohm, 15V | Td (ein / aus) bei 25 ° C | 17ns/69ns |
| Schaltenergie | - | Supplier Device-Gehäuse | TO-252 |
| Serie | - | Rückwärts-Erholzeit (Trr) | 40ns |
| Leistung - max | 62W | Verpackung | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | Andere Namen | RGT8BM65DTLTR |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 175°C (TJ) | Befestigungsart | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) | Hersteller Standard Vorlaufzeit | 15 Weeks |
| Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant | Eingabetyp | Standard |
| IGBT-Typ | Trench Field Stop | Gate-Ladung | 13.5nC |
| detaillierte Beschreibung | IGBT Trench Field Stop 650V 8A 62W Surface Mount TO-252 | Strom - Collector Pulsed (Icm) | 12A |
| Strom - Kollektor (Ic) (max) | 8A | ||
| FEDEX | www.FedEx.com | Ab 35,00 USD hängt die Grundversandgebühr von Zone und Land ab. |
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