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Transistoren-bipolare (BJT)-Arrays, Pre-biased
UMD12NTR

UMD12NTR

LAPIS Semiconductor
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Produktdetails siehe Spezifikationen.
LAPIS SemiconductorLAPIS Semiconductor
Artikelnummer:
UMD12NTR
Hersteller / Marke:
LAPIS Semiconductor
Produktbeschreibung:
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT6
Datenblätte:
1.UMD12NTR.pdf2.UMD12NTR.pdf
RoHS Status:
Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers:
941721 pcs stock
Liefern von:
Hong Kong
Versandweg:
DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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LAPIS Semiconductor

Spezifikationen von UMD12NTR

LAPIS SemiconductorLAPIS Semiconductor
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Artikelnummer UMD12NTR Hersteller LAPIS Semiconductor
Beschreibung TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT6 Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge 941721 pcs stock Datenblatt 1.UMD12NTR.pdf2.UMD12NTR.pdf
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50V VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA
Transistor-Typ 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Supplier Device-Gehäuse UMT6
Serie - Widerstand - Emitterbasis (R2) 47 kOhms
Widerstand - Basis (R1) 47 kOhms Leistung - max 150mW
Verpackung Tape & Reel (TR) Verpackung / Gehäuse 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Befestigungsart Surface Mount Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit 10 Weeks Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant
Frequenz - Übergang 250MHz detaillierte Beschreibung Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount UMT6
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 68 @ 5mA, 5V Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA
Strom - Kollektor (Ic) (max) 100mA Basisteilenummer MD12
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