Artikelnummer | UMD12NTR | Hersteller | LAPIS Semiconductor |
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Beschreibung | TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT6 | Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
Verfügbare Menge | 941721 pcs stock | Datenblatt | 1.UMD12NTR.pdf2.UMD12NTR.pdf |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 50V | VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
Transistor-Typ | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) | Supplier Device-Gehäuse | UMT6 |
Serie | - | Widerstand - Emitterbasis (R2) | 47 kOhms |
Widerstand - Basis (R1) | 47 kOhms | Leistung - max | 150mW |
Verpackung | Tape & Reel (TR) | Verpackung / Gehäuse | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Befestigungsart | Surface Mount | Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
Hersteller Standard Vorlaufzeit | 10 Weeks | Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
Frequenz - Übergang | 250MHz | detaillierte Beschreibung | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount UMT6 |
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE | 68 @ 5mA, 5V | Strom - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
Strom - Kollektor (Ic) (max) | 100mA | Basisteilenummer | MD12 |
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