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Transistoren-bipolare (BJT)-Arrays, Pre-biased
UMH11NTN

UMH11NTN

LAPIS Semiconductor
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Produktdetails siehe Spezifikationen.
LAPIS SemiconductorLAPIS Semiconductor
Artikelnummer:
UMH11NTN
Hersteller / Marke:
LAPIS Semiconductor
Produktbeschreibung:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT6
Datenblätte:
1.UMH11NTN.pdf2.UMH11NTN.pdf
RoHS Status:
Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers:
918520 pcs stock
Liefern von:
Hong Kong
Versandweg:
DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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LAPIS Semiconductor

Spezifikationen von UMH11NTN

LAPIS SemiconductorLAPIS Semiconductor
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Artikelnummer UMH11NTN Hersteller LAPIS Semiconductor
Beschreibung TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT6 Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge 918520 pcs stock Datenblatt 1.UMH11NTN.pdf2.UMH11NTN.pdf
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50V VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA
Transistor-Typ 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Supplier Device-Gehäuse UMT6
Serie - Widerstand - Emitterbasis (R2) 10 kOhms
Widerstand - Basis (R1) 10 kOhms Leistung - max 150mW
Verpackung Tape & Reel (TR) Verpackung / Gehäuse 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Andere Namen UMH11NTNTR Befestigungsart Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited) Hersteller Standard Vorlaufzeit 10 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant Frequenz - Übergang 250MHz
detaillierte Beschreibung Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount UMT6 DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 30 @ 5mA, 5V
Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA Strom - Kollektor (Ic) (max) 100mA
Basisteilenummer *MH11  
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