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Transistoren-Bipolar (BJT)-RF

MS1202

MS1202

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Microsemi

Spezifikationen von MS1202

Microsemi

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Artikelnummer	MS1202	Hersteller	Microsemi
Beschreibung	TRANS RF BIPO 15W 1A M135	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	4629 pcs stock	Datenblatt	MS1202.pdf
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)	35V	Transistor-Typ	NPN
Supplier Device-Gehäuse	M135	Serie	-
Leistung - max	15W	Verpackung	Bulk
Verpackung / Gehäuse	M135	Betriebstemperatur	200°C (TJ)
Rauschzahl (dB Typ @ f)	-	Befestigungsart	Chassis Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Gewinnen	8.4dB	Frequenz - Übergang	118MHz ~ 136MHz
detaillierte Beschreibung	RF Transistor NPN 35V 1A 118MHz ~ 136MHz 15W Chassis Mount M135	DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE	5 @ 100mA, 5V
Strom - Kollektor (Ic) (max)	1A

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