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Transistoren-Bipolar (BJT)-einzeln, Pre-biased
PDTB123EK,115

PDTB123EK,115

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Produktdetails siehe Spezifikationen.
NXP Semiconductors / Freescale
Artikelnummer:
PDTB123EK,115
Hersteller / Marke:
NXP Semiconductors / Freescale
Produktbeschreibung:
TRANS PREBIAS PNP 250MW SMT3
Datenblätte:
RoHS Status:
Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers:
5178 pcs stock
Liefern von:
Hong Kong
Versandweg:
DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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Spezifikationen von PDTB123EK,115

NXP Semiconductors / Freescale
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Artikelnummer PDTB123EK,115 Hersteller NXP Semiconductors / Freescale
Beschreibung TRANS PREBIAS PNP 250MW SMT3 Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge 5178 pcs stock Datenblatt
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50V VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 2.5mA, 50mA
Transistor-Typ PNP - Pre-Biased Supplier Device-Gehäuse SMT3; MPAK
Serie - Widerstand - Emitterbasis (R2) 2.2 kOhms
Widerstand - Basis (R1) 2.2 kOhms Leistung - max 250mW
Verpackung Tape & Reel (TR) Verpackung / Gehäuse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Andere Namen 934058966115
PDTB123EK T/R
PDTB123EK T/R-ND
Befestigungsart Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited) Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant
detaillierte Beschreibung Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 500mA 250mW Surface Mount SMT3; MPAK DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 40 @ 50mA, 5V
Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA Strom - Kollektor (Ic) (max) 500mA
Basisteilenummer PDTB123  
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