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Transistoren-bipolare (BJT)-Arrays, Pre-biased
PEMD10,115

PEMD10,115

Nexperia
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Produktdetails siehe Spezifikationen.
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Artikelnummer:
PEMD10,115
Hersteller / Marke:
Nexperia
Produktbeschreibung:
TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT666
Datenblätte:
PEMD10,115.pdf
RoHS Status:
Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers:
999818 pcs stock
Liefern von:
Hong Kong
Versandweg:
DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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Spezifikationen von PEMD10,115

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Artikelnummer PEMD10,115 Hersteller Nexperia
Beschreibung TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT666 Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge 999818 pcs stock Datenblatt PEMD10,115.pdf
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50V VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 100mV @ 250µA, 5mA
Transistor-Typ 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Supplier Device-Gehäuse SOT-666
Serie - Widerstand - Emitterbasis (R2) 47 kOhms
Widerstand - Basis (R1) 2.2 kOhms Leistung - max 300mW
Verpackung Tape & Reel (TR) Verpackung / Gehäuse SOT-563, SOT-666
Andere Namen 934056858115
PEMD10 T/R
PEMD10 T/R-ND
Befestigungsart Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited) Hersteller Standard Vorlaufzeit 13 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant Frequenz - Übergang -
detaillierte Beschreibung Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 300mW Surface Mount SOT-666 DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 100 @ 10mA, 5V
Strom - Collector Cutoff (Max) 1µA Strom - Kollektor (Ic) (max) 100mA
Basisteilenummer MD10  
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