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Transistoren-bipolare (BJT)-Arrays, Pre-biased

PRMD16Z

PRMD16Z

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Nexperia

Spezifikationen von PRMD16Z

Nexperia

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Artikelnummer	PRMD16Z	Hersteller	Nexperia
Beschreibung	PRMD16/SOT1268/DFN1412-6	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	1258197 pcs stock	Datenblatt	PRMD16Z.pdf
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)	50V	VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic	150mV @ 500µA, 10mA
Transistor-Typ	1 NPN Pre-Biased, 1 PNP	Supplier Device-Gehäuse	DFN1412-6
Serie	Automotive, AEC-Q101	Widerstand - Emitterbasis (R2)	47 kOhms
Widerstand - Basis (R1)	22 kOhms	Leistung - max	480mW
Verpackung	Tape & Reel (TR)	Verpackung / Gehäuse	6-XFDFN Exposed Pad
Andere Namen	1727-7392-2 934070174147 PRMD16Z-ND	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Hersteller Standard Vorlaufzeit	13 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant	Frequenz - Übergang	230MHz
detaillierte Beschreibung	Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP 50V 100mA 230MHz 480mW Surface Mount DFN1412-6	DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE	80 @ 5mA, 5V
Strom - Collector Cutoff (Max)	1µA	Strom - Kollektor (Ic) (max)	100mA

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